Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 2000 V / 48 A 348 W, 4-Pin IMYH200R050M1HXKSA1
- RS Best.-Nr.:
- 349-111
- Herst. Teile-Nr.:
- IMYH200R050M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.44.57 |
| 10 - 99 | CHF.40.11 |
| 100 + | CHF.36.99 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-111
- Herst. Teile-Nr.:
- IMYH200R050M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 48A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 2000V | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 70mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 348W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 82nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 48A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 2000V | ||
Gehäusegröße PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | ||
Serie CoolSiC | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 70mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 348W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 82nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET ist ein Hochleistungs-Siliziumkarbid-MOSFET mit .XT-Verbindungstechnologie für verbesserte thermische und elektrische Leistung. Mit einer Benchmark-Gate-Schwellenspannung (VGS(th)) von 4,5 V bietet er zuverlässiges und effizientes Schalten und ist damit ideal für Hochspannungsanwendungen geeignet. Dieser MOSFET bietet eine überragende Leistung und gewährleistet auch in anspruchsvollen Umgebungen einen hervorragenden Wirkungsgrad und einen robusten Betrieb.
Sehr geringe Schaltverluste
Robuste Body-Diode für harte Kommutierung
RoHS-Konformität
Halogenfrei
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