Infineon CoolSiCTM Trench MOSFET Typ N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 1200 V Erweiterung / 200 A 20 mW EasyDUAL

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RS Best.-Nr.:
349-253
Herst. Teile-Nr.:
FF4MR12W2M1HPB11BPSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

200A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

CoolSiCTM Trench MOSFET

Gehäusegröße

EasyDUAL

Montageart

Schraubanschlussklemme

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

23 V

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Durchlassspannung Vf

5.35V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
DE
Das Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET-Halbbrückenmodul ist ein 1200-V-Modul mit einem niedrigen Gate-Widerstand G1 von 4 mΩ und verfügt über einen integrierten NTC-Temperatursensor für eine präzise thermische Überwachung. Es umfasst auch ein vorab aufgebrachtes thermisches Schnittstellenmaterial für eine verbesserte Wärmeableitung und nutzt die PressFIT-Kontakttechnologie, die zuverlässige und effiziente elektrische Verbindungen gewährleistet. Dieses Modul wurde für Hochleistungsanwendungen entwickelt, bei denen effiziente Leistungsumwandlung und Wärmemanagement entscheidend sind.

Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklammern

PressFIT-Kontakttechnik

Integrierter NTC-Temperatursensor

Vorgefertigtes Wärmeleitmaterial

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