Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 148 A, 9-Pin PG-TTFN-9

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
284-938
Herst. Teile-Nr.:
IQD063N15NM5CGATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

148 A

Drain-Source-Spannung max.

150 V

Gehäusegröße

PG-TTFN-9

Serie

OptiMOS

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

9

Channel-Modus

Enhancement

Transistor-Werkstoff

SiC

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Der Infineon MOSFET mit OptiMOS 5 Leistungstransistor ist ein fortschrittlicher Hochleistungs-MOSFET, der für den vielseitigen Einsatz in verschiedenen industriellen Anwendungen entwickelt wurde. Dieser Baustein bietet dank seines extrem niedrigen Einschaltwiderstands und seiner außergewöhnlichen thermischen Beständigkeit einen überragenden Wirkungsgrad und eignet sich damit für Power-Management-Aufgaben, bei denen Zuverlässigkeit an erster Stelle steht. Seine robuste Beschaffenheit gewährleistet eine 100-prozentige Lawinenprüfung und gibt dem Benutzer Sicherheit im Betrieb. Mit einer signifikanten Durchbruchspannung und dynamischen Fähigkeiten wurde die OptiMOS 5-Serie entwickelt, um Leistungskriterien zu verbessern und gleichzeitig die Einhaltung von Umweltstandards zu gewährleisten.

Hoher Wirkungsgrad und geringe Verlustleistung
Hervorragendes Wärmemanagement für Langlebigkeit
Umfassende Validierung für industrielle Zuverlässigkeit
Breiter Betriebstemperaturbereich
Niedrige Gate-Ladung reduziert Schaltverluste
Wettbewerbsfähige Schaltleistung für PWM
RoHS- und halogenfrei konform

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