Infineon OptiMOS Power Transistor Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / -32 A 188 W, 8-Pin ISC750P10LMATMA1

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RS Best.-Nr.:
285-054
Herst. Teile-Nr.:
ISC750P10LMATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-32A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PG-TDSON-8

Serie

OptiMOS Power Transistor

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

75mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

188W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET ist ein erweiterter Leistungs-MOSFET, der für optimale Effizienz und Vielseitigkeit in industriellen Anwendungen entwickelt wurde. Mit seiner robusten P-Kanal-Konfiguration bietet er einen außergewöhnlich niedrigen Durchlasswiderstand und kann hohe Drain-Ströme verarbeiten, wodurch er sich für eine Reihe anspruchsvoller elektronischer Schaltungen eignet. Durch die Integration einer Logic-Level-Gate-Ansteuerung ist ein nahtloser Betrieb in Niederspannungssystemen möglich. Mit seiner ausgezeichneten thermischen Leistung und zuverlässigen Lawinenbelastbarkeit ist dieser Leistungstransistor ideal für Anwendungen, die Haltbarkeit und Zuverlässigkeit unter kontinuierlicher Belastung erfordern. Die RoHS-Konformität und die halogenfreie Bleibeschichtung erhöhen die Eignung für umweltbewusste Designs und geben den Herstellern Sicherheit in einem wettbewerbsintensiven Markt.

Außergewöhnliche Schaltleistung für das Energiemanagement

100% lawinengeprüft und zuverlässig

Geringer Wärmewiderstand für eine effektive Wärmeableitung

Logischer Pegelantrieb für einfache Mikrocontrollerschnittstelle

Pb-freie Bleibeschichtung zur Einhaltung der Umweltvorschriften

Gleichbleibende Leistung über einen großen Temperaturbereich

Optimiert für Hochgeschwindigkeitsanwendungen

Unterstützt hohe Impulsstrom-Nennwerte

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