STMicroelectronics STF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 800 V / 10 A 24.5 W, 3-Pin TO-220FP

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.3.035

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1’000 Einheit(en) mit Versand ab 23. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 +CHF.3.04

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
330-460
Herst. Teile-Nr.:
STF80N450K6
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-220FP

Serie

STF

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

450mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17.3nC

Maximale Verlustleistung Pd

24.5W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.6mm

Breite

10.4 mm

Länge

30.6mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN
Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der ultimativen MDmesh K6-Technologie entwickelt, die auf der 20-jährigen Erfahrung von STMicroelectronics mit der Super-Junction-Technologie basiert. Das Ergebnis ist der beste Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Bereich und Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.

Extrem niedrige Gate-Ladung

Zener-geschützt

Verwandte Links