STMicroelectronics STF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 800 V / 5 A 21 W, 3-Pin TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 330-451
- Herst. Teile-Nr.:
- STF80N1K1K6
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | STF | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.1Ω | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 21W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.4mm | |
| Höhe | 9.3mm | |
| Breite | 4.6 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie STF | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.1Ω | ||
Maximale Verlustleistung Pd 21W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.4mm | ||
Höhe 9.3mm | ||
Breite 4.6 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der ultimativen MDmesh K6-Technologie entwickelt, die auf der 20-jährigen Erfahrung von STMicroelectronics mit der Super-Junction-Technologie basiert. Das Ergebnis ist der beste Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Bereich und Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.
Extrem niedrige Gate-Ladung
Zener-geschützt
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