STMicroelectronics STF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 80 V / 6 A 21.5 W, 3-Pin TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 330-464
- Herst. Teile-Nr.:
- STF80N900K6
- Marke:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
| 50 - 450 | CHF.1.649 | CHF.82.48 |
| 500 + | CHF.1.565 | CHF.78.38 |
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- RS Best.-Nr.:
- 330-464
- Herst. Teile-Nr.:
- STF80N900K6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | STF | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 900mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 21.5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Länge | 30.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 10.4 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie STF | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 900mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 21.5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.6mm | ||
Länge 30.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 10.4 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- CN
Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der ultimativen MDmesh K6-Technologie entwickelt, die auf der 20-jährigen Erfahrung von STMicroelectronics mit der Super-Junction-Technologie basiert. Das Ergebnis ist der beste Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Bereich und Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.
Extrem niedrige Gate-Ladung
Zener-geschützt
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