Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 88 A 242 W, 8-Pin ISC130N20NM6ATMA1 PG-TSON-8

RS Best.-Nr.:: 349-148
Herst. Teile-Nr.:: ISC130N20NM6ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 88 A 242 W, 8-Pin ISC130N20NM6ATMA1 PG-TSON-8

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RS Best.-Nr.:: 349-148
Herst. Teile-Nr.:: ISC130N20NM6ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	88A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	200V
	Gehäusegröße	PG-TSON-8
	Serie	ISC
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	13mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	242W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	39nC
	Durchlassspannung Vf	1V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 88A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 200V
	Gehäusegröße PG-TSON-8
	Serie ISC
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 13mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 242W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 39nC
	Durchlassspannung Vf 1V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - ISC130N20NM6ATMA1

Ursprungsland:: MY

Der OptiMOS 6 Leistungstransistor von Infineon ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der zur Minimierung der Leitungsverluste und zur Verbesserung der Systemeffizienz beiträgt. Mit einem ausgezeichneten Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) gewährleistet dieser Transistor ein optimiertes Schaltverhalten. Außerdem bietet er eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr), wodurch Schaltverluste reduziert und die Gesamteffizienz in schnell schaltenden Schaltungen verbessert werden. Er ist für den Betrieb bei einer Temperatur von 175°C ausgelegt und bietet hohe Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Umgebungen und eine hervorragende thermische Leistung für einen robusten Betrieb.

Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020

100 % Avalanche-getestet

Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 88 A 242 W, 8-Pin ISC130N20NM6ATMA1 PG-TSON-8

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