Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 88 A 242 W, 8-Pin PG-TSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 349-148
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC130N20NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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| 200 + | CHF.5.555 | CHF.11.11 |
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- RS Best.-Nr.:
- 349-148
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC130N20NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 88A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | PG-TSON-8 | |
| Serie | ISC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 39nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 242W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 88A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße PG-TSON-8 | ||
Serie ISC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 39nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 242W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der OptiMOS 6 Leistungstransistor von Infineon ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der zur Minimierung der Leitungsverluste und zur Verbesserung der Systemeffizienz beiträgt. Mit einem ausgezeichneten Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) gewährleistet dieser Transistor ein optimiertes Schaltverhalten. Außerdem bietet er eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr), wodurch Schaltverluste reduziert und die Gesamteffizienz in schnell schaltenden Schaltungen verbessert werden. Er ist für den Betrieb bei einer Temperatur von 175°C ausgelegt und bietet hohe Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Umgebungen und eine hervorragende thermische Leistung für einen robusten Betrieb.
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020
100 % Avalanche-getestet
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