Infineon IGLR65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 13 A 47 W, 8-Pin IGLR65R140D2XUMA1 PG-TSON-8

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RS Best.-Nr.:
351-876
Herst. Teile-Nr.:
IGLR65R140D2XUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

PG-TSON-8

Serie

IGLR65

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.17Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.8nC

Maximale Verlustleistung Pd

47W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

JEDEC for Industrial Applications

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der GaN-Leistungstransistor von Infineon ermöglicht eine höhere Effizienz im Hochfrequenzbetrieb. Als Teil der CoolGaN 650 V G5-Familie erfüllt er die höchsten Qualitätsstandards und ermöglicht äußerst zuverlässige Designs mit überlegener Effizienz. Er ist in einem unterseitig gekühlten ThinPAK-Gehäuse untergebracht und eignet sich gut für Verbraucher- und Industrieanwendungen mit schlanken Formfaktoren.

650 V E-Mode-Leistungstransistor

Ultraschnelles Schalten

Keine Reverse-Recovery-Ladung

Fähigkeit zur Rückleitung

Niedrige Gate-Ladung, niedrige Ausgangsladung

Überlegene Robustheit der Kommutierung

Niedrige dynamische RDS(on)

Hohe ESD-Robustheit: 2 kV HBM - 1 kV CDM

Unterseitig gekühltes Gehäuse

JEDEC-qualifiziert (JESD47, JESD22)

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