Infineon IPQC60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 174 A 694 W, 22-Pin PG-HDSOP-22
- RS Best.-Nr.:
- 351-946
- Herst. Teile-Nr.:
- IPQC60T010S7AXTMA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 174A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | IPQC60 | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-22 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 22 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.01Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 318nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 694W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC Q101 | |
| Breite | 10.43 mm | |
| Höhe | 2.35mm | |
| Länge | 15.5mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 174A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie IPQC60 | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-22 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 22 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.01Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 318nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 694W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen AEC Q101 | ||
Breite 10.43 mm | ||
Höhe 2.35mm | ||
Länge 15.5mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon CoolMOS S7TA mit integriertem Temperatursensor erhöht die Genauigkeit und Robustheit der Sperrschichttemperaturmessung und ermöglicht gleichzeitig eine einfache Implementierung und funktionale Sicherheit. Der Baustein ist für Schaltanwendungen mit niedrigen Frequenzen und hohen Strömen optimiert. Er ist ideal für Halbleiterrelais, Batterietrennschalter und eFuses geeignet.
Minimierte Leitungsverluste
Erhöhte Systemleistung
Ermöglicht eine kompaktere Bauweise als EMR
Niedrigere TCO über einen längeren Zeitraum
Ermöglicht Designs mit höherer Leistungsdichte
Reduktion der externen Sensor- Elemente
Beste Ausnutzung des Leistungstransistors
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