Nexperia PHT6NQ10T Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 3 A 1.8 W, 4-Pin SC-73
- RS Best.-Nr.:
- 509-576
- Herst. Teile-Nr.:
- PHT6NQ10T,135
- Marke:
- Nexperia
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- Herst. Teile-Nr.:
- PHT6NQ10T,135
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | PHT6NQ10T | |
| Gehäusegröße | SC-73 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 90mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.8W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.7mm | |
| Höhe | 1.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie PHT6NQ10T | ||
Gehäusegröße SC-73 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 90mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.8W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.7mm | ||
Höhe 1.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, 100 V und mehr, Nexperia
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
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