Nexperia PHT6NQ10T Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 3 A 1.8 W, 4-Pin SC-73

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:
124-2386
Herst. Teile-Nr.:
PHT6NQ10T,135
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SC-73

Serie

PHT6NQ10T

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

90mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.8W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-65°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

21nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.7mm

Breite

3.7 mm

Länge

6.7mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-MOSFET, 100 V und mehr, Nexperia


MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors


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