Microchip DN2450 N-Kanal-DMOS-FET-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Entleerungsmodus 500 V / 350 mA 2.5 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 598-247
- Herst. Teile-Nr.:
- DN2450N8-G
- Marke:
- Microchip
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- 598-247
- Herst. Teile-Nr.:
- DN2450N8-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal-DMOS-FET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 350mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | DN2450 | |
| Gehäusegröße | TO-252 (D-PAK-3) | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10Ω | |
| Channel-Modus | Entleerungsmodus | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, ISO/TS‑16949 | |
| Länge | 4.4mm | |
| Breite | 3 mm | |
| Höhe | 2.29mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal-DMOS-FET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 350mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie DN2450 | ||
Gehäusegröße TO-252 (D-PAK-3) | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10Ω | ||
Channel-Modus Entleerungsmodus | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, ISO/TS‑16949 | ||
Länge 4.4mm | ||
Breite 3 mm | ||
Höhe 2.29mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Microchip-Transistoren mit niedrigem Schwellenwert für den Erschöpfungsmodus (normalerweise eingeschaltet) nutzen eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Fertigungsprozess mit Silizium-Gate. Diese Kombination produziert Geräte mit den Leistungsummantelungsfähigkeiten von bipolaren Transistoren und mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten, die MOS-Geräten innewohnen. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen sind diese Geräte frei von thermischer Flucht und thermisch induziertem Sekundärbruch. Vertikale DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkungsanwendungen, bei denen eine eine sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, eine hohe Eingangsimpedanz, eine niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erforderlich sind.
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand
Keine sekundäre Durchschaltung
Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage
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