STMicroelectronics STP N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 100 V / 60 A 125 W, 2-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 719-650
- Herst. Teile-Nr.:
- STD70N10F4
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STD70N10F4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | STP | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0195Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 85nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 6.6mm | |
| Länge | 6.2mm | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie STP | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 2 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0195Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 85nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 6.6mm | ||
Länge 6.2mm | ||
Höhe 2.4mm | ||
Die STripFETTM DeepGATETM Power MOSFET-Technologie von STMicroelectronics gehört zu den neuesten Verbesserungen, die speziell auf die Minimierung des Widerstands im eingeschalteten Zustand zugeschnitten wurden, mit einer neuen Gate-Struktur, die eine überlegene Schaltleistung bietet.
Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit
Extrem niedriger Ein-Widerstand RDS(on)
100 % Avalanche-getestet
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