Vishay TrenchFET Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 125 A 56.8 W, 12-Pin PowerPAIR 3 x 3FS
- RS Best.-Nr.:
- 736-656
- Herst. Teile-Nr.:
- SIZF5300DT-T1-UE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 736-656
- Herst. Teile-Nr.:
- SIZF5300DT-T1-UE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Zweifach N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 125A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | PowerPAIR 3 x 3FS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 12 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.00351Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 32nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 56.8W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 3.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Zweifach N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 125A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße PowerPAIR 3 x 3FS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 12 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.00351Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 32nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 56.8W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 3.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- IL
Der Hochleistungs-Dual-N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für ein effizientes Energiemanagement in verschiedenen Anwendungen entwickelt und bietet überlegene thermische Leistung und Schaltfunktionen.
Die TrenchFET Gen V-Technologie optimiert Effizienz und Leistung
Symmetrische Dual-N-Kanal-Konfiguration ermöglicht vielseitige Schaltungsdesigns
High-Side- und Low-Side-MOSFETs unterstützen Anwendungen mit einem Tastverhältnis von 50 %
Umfassende Tests gewährleisten einen zuverlässigen Betrieb unter strengen Bedingungen
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