Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 70 V / 34.6 A 48.1 W, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3FS
- RS Best.-Nr.:
- 847-936
- Herst. Teile-Nr.:
- SIZF458LDT-T1-UE3
- Marke:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
- SIZF458LDT-T1-UE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 34.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 70V | |
| Gehäusegröße | PowerPAIR 3 x 3FS | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.020Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.2nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 48.1W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS3 Compliant | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 3.30mm | |
| Breite | 3.30mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 34.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 70V | ||
Gehäusegröße PowerPAIR 3 x 3FS | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.020Ω | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.2nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 48.1W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS3 Compliant | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 3.30mm | ||
Breite 3.30mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der Dual-N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für ein effizientes Energiemanagement entwickelt und dient hauptsächlich in Schaltanwendungen, die eine hohe Zuverlässigkeit und Leistung unter wechselnden Spannungsbedingungen erfordern.
Arbeitet mit einer maximalen Ablass-Quellenspannung von 70 V für robuste Leistung
Optimiert für 50 % Tastverhältnis-Konfigurationen, verbessert die Effizienz beim Schalten
Verwendet die Flip-Chip-Technologie und bietet ein hervorragendes thermisches Design für eine bessere Wärmeableitung
100 % auf R und UIS getestet, um Zuverlässigkeit in kritischen Anwendungen zu gewährleisten
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