STMicroelectronics N-Kanal-MOSFET STH4N150 N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET 1500 V MOSFET / 2.6 A 208 W, 3-Pin H2PAK-2
- RS Best.-Nr.:
- 881-431
- Herst. Teile-Nr.:
- STH4N150-2AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1500V | |
| Gehäusegröße | H2PAK-2 | |
| Serie | STH4N150 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10Ω | |
| Channel-Modus | MOSFET | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 35.1nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 208W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | N-Kanal-MOSFET | |
| Breite | 4.7mm | |
| Höhe | 15.8mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1500V | ||
Gehäusegröße H2PAK-2 | ||
Serie STH4N150 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10Ω | ||
Channel-Modus MOSFET | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 35.1nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 208W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration N-Kanal-MOSFET | ||
Breite 4.7mm | ||
Höhe 15.8mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde unter Verwendung des PowerMESH entwickelt Glastechnologie Dieses Gerät wurde entwickelt, um ein hohes Maß an Spannung und Robustheit für den Automobilmarkt zu gewährleisten.
Sehr niedrige Gate-Ladung
100 % Avalanche-getestet
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