DiodesZetex Isoliert Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 5.2 A 1.1 W, 6-Pin TSOT
- RS Best.-Nr.:
- 121-9597
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC2038LVT-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.252.00
Auf Lager
- Zusätzlich 9’000 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
- Zusätzlich 90’000 Einheit(en) mit Versand ab 02. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.0.084 | CHF.248.85 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 121-9597
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC2038LVT-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | TSOT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 168mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.1W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.7nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Länge | 2.95mm | |
| Normen/Zulassungen | UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Breite | 1.65 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße TSOT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 168mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.1W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.7nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Länge 2.95mm | ||
Normen/Zulassungen UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS | ||
Höhe 0.9mm | ||
Breite 1.65 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Zweifacher N/P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Verwandte Links
- DiodesZetex Isoliert Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 5.2 A 1.1 W, 6-Pin TSOT
- DiodesZetex Doppelt Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4 A 1.1 W, 6-Pin TSOT
- DiodesZetex Doppelt Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 4.6 A 1.1 W, 6-Pin TSOT
- DiodesZetex Doppelt Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 4.6 A 1.1 W, 6-Pin TSOT DMC3071LVT-7
- DiodesZetex Doppelt Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4 A 1.1 W, 6-Pin TSOT DMC2057UVT-7
- DiodesZetex Isoliert Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 4.5 A 1.3 W, 6-Pin TSOT
- DiodesZetex Isoliert Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 3.4 A 1.27 W, 6-Pin TSOT
- DiodesZetex Doppelt DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.6 A 1.1 W, 6-Pin TSOT-26