DiodesZetex Isoliert Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 520 mA 350 mW, 6-Pin SOT-963
- RS Best.-Nr.:
- 122-3245
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC2990UDJ-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 520mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-963 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.6V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 350mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Höhe | 0.45mm | |
| Normen/Zulassungen | J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101 | |
| Breite | 0.85 mm | |
| Länge | 1.05mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 520mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-963 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.6V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 350mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Höhe 0.45mm | ||
Normen/Zulassungen J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101 | ||
Breite 0.85 mm | ||
Länge 1.05mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Zweifacher N/P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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