Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.2 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 124-8756
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP296NH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*
CHF.293.00
Vorübergehend ausverkauft
- 1'000 Einheit(en) mit Versand ab 24. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1000 + | CHF 0.293 | CHF 293.91 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 124-8756
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP296NH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 800mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.8W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.85V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.5mm | |
| Länge | 6.5mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 800mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.8W | ||
Durchlassspannung Vf 0.85V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.5mm | ||
Länge 6.5mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon OptiMOS Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 1,2 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSP296NH6327XTSA1
Dieser MOSFET ist ein SMD-Leistungstransistor, der für das Schalten und Steuern in Automobil- und Industrieumgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet als N-Kanal-Verbesserungsgerät, das sich für Anwendungen eignet, die eine moderate Strombelastbarkeit und eine hohe Spannungsfestigkeit erfordern, während er gleichzeitig einem breiten Umgebungstemperaturbereich für anspruchsvolle Umgebungen standhält.
Merkmale und Vorteile:
• 100 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 1,2 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt bescheidene Lastströme
• 800 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die typische Gate-Ladung von 4,5 nC ermöglicht schnellere Schaltübergänge
• Maximale Verlustleistung von 1,8 W sorgt für thermische Belastung in kompakten Baugruppen
• Gate-Toleranz von ±20 V unterstützt gängige Gate-Drive-Spannungen
• 1,2 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt bescheidene Lastströme
• 800 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die typische Gate-Ladung von 4,5 nC ermöglicht schnellere Schaltübergänge
• Maximale Verlustleistung von 1,8 W sorgt für thermische Belastung in kompakten Baugruppen
• Gate-Toleranz von ±20 V unterstützt gängige Gate-Drive-Spannungen
Anwendungsbereiche
• Geeignet für Kfz-Steuermodule, die eine AEC‐Q101-Qualifikation erfordern
• Ideal für DC/DC-Wandlerstufen in kompakten Stromversorgungen
• Wird mit Motortreibern mit geringem Stromverbrauch in Hilfssystemen verwendet
• Kann für Batteriemanagement und Stromverteilungsaufgaben verwendet werden
• Nützlich für die Schaltregelung für tragbare und eingebettete Geräte
• Ideal für DC/DC-Wandlerstufen in kompakten Stromversorgungen
• Wird mit Motortreibern mit geringem Stromverbrauch in Hilfssystemen verwendet
• Kann für Batteriemanagement und Stromverteilungsaufgaben verwendet werden
• Nützlich für die Schaltregelung für tragbare und eingebettete Geräte
Welchen Gehäusetyp sollte ich für das Leiterplatten-Layout erwarten?
Er wird in einem SOT‐223-Gehäuse für die Oberflächenmontage mit vier Stiften geliefert, das eine einseitige Wärmeleitung und eine einfache Integration in die Grundfläche der Leiterplatte ermöglicht.
Wie verhält sich die thermische Leistung bei hohen Temperaturen?
Das Gerät ist für den Betrieb in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C ausgelegt, wobei die Verlustleistung auf 1,8 W begrenzt ist, um eine thermische Überbelastung im Dauerbetrieb zu verhindern.
Welche Gate-Drive-Beschränkungen müssen bei der Konstruktion beachtet werden?
Die maximal zulässige Gate-Quellenspannung beträgt 20 V, daher sollten Gate-Treiber so konfiguriert werden, dass sie diesen Wert nicht überschreiten, um das Gate-Oxid zu schützen.
Welcher Parameter wirkt sich am stärksten auf die Schalteffizienz bei schnellen PWM-Anwendungen aus?
Die typische Gate-Ladung von 4,5 nC beeinflusst direkt die Schaltverluste und den Antriebsenergiebedarf bei schnellen Zustandswechseln.
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.2 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.8 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 5.2 A 1.8 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.8 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.9 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 660 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.6 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 430 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223