Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.2 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
124-8756
Herst. Teile-Nr.:
BSP296NH6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

800mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.85V

Maximale Verlustleistung Pd

1.8W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.6mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.5 mm

Länge

6.5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

OptiMOS™ Kleinsignal-MOSFETs von Infineon


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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