Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 5.2 A 1.8 W, 3-Pin BSP603S2LHUMA1 SOT-223

RS Best.-Nr.:: 462-2935
Herst. Teile-Nr.:: BSP603S2LHUMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 5.2 A 1.8 W, 3-Pin BSP603S2LHUMA1 SOT-223

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 462-2935
Herst. Teile-Nr.:: BSP603S2LHUMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	5.2A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	55V
	Gehäusegröße	SOT-223
	Serie	OptiMOS
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	33mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	1.8W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	31nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	6.5mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Breite	3.5 mm
	Höhe	1.6mm
	Automobilstandard	AEC-Q

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.2A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 55V
	Gehäusegröße SOT-223
	Serie OptiMOS
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 33mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 1.8W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 6.5mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Breite 3.5 mm
	Höhe 1.6mm
	Automobilstandard AEC-Q

Infineon OptiMOS™ Serie MOSFET, 5,2A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 1,8W maximale Verlustleistung - BSP603S2LHUMA1

Dieser N-Kanal-MOSFET wurde für eine effiziente Leistung bei verschiedenen elektrischen Anwendungen entwickelt. Mit einem maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von 5,2 A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 55 V bietet er robuste Funktionen für das Power-Management und die Steuerung, was ihn zu einem wichtigen Bauteil für Fachleute in der Automobil- und Elektronikindustrie macht.

Eigenschaften und Vorteile

• Niedriger RDS(on) minimiert den Leistungsverlust während des Betriebs

• Maximale Gate-Schwellenspannung verbessert die Schalteffizienz

• Oberflächenmontiertes Design erleichtert die Integration in kompakte PCBs

• AEC-qualifiziert, um strenge Automobilstandards zu erfüllen

• Hochtemperaturbetrieb bei bis zu +150°C für lange Lebensdauer

Anwendungsbereich

• Leistungsmanagement in der Automobilelektronik

• Geeignet für DC-DC-Wandler in Elektrofahrzeugen

• Einsatz in der Motorsteuerung für Robotik und Automatisierung

• Lastschalter in der Unterhaltungselektronik

Wie hoch ist die typische Gate-Ladung bei 10 V?

Die typische Gate-Ladung beträgt 31nC, wodurch die Schaltleistung bei 10 V optimiert wird.

Ist dies für Anwendungen in Hochtemperaturumgebungen geeignet?

Ja, er arbeitet zuverlässig bei Temperaturen bis zu +150 °C und ist damit ideal für schwierige Bedingungen.

Wie bewältigt dieses Bauteil hohe Stromlasten?

Mit einem maximalen Dauerstrom von 5.2A bewältigt er effektiv hohe Lasten bei gleichbleibender Leistung.

Kann dieser MOSFET die Energieverluste wirksam reduzieren?

Ja, der niedrige RDS(on) minimiert den Durchlasswiderstand und trägt so zur Verringerung der Energieverluste während des Betriebs bei.

Hält dieses Produkt die Umweltstandards ein?

Ja, es ist RoHS-konform und erfüllt damit die Umweltschutznormen für elektronische Bauteile.