Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 5.2 A 1.8 W, 3-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
911-4820
Herst. Teile-Nr.:
BSP603S2LHUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

33mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.8W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

31nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.5 mm

Länge

6.5mm

Höhe

1.6mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q

Infineon OptiMOS™ Serie MOSFET, 5,2A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 1,8W maximale Verlustleistung - BSP603S2LHUMA1


Dieser N-Kanal-MOSFET wurde für eine effiziente Leistung bei verschiedenen elektrischen Anwendungen entwickelt. Mit einem maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von 5,2 A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 55 V bietet er robuste Funktionen für das Power-Management und die Steuerung, was ihn zu einem wichtigen Bauteil für Fachleute in der Automobil- und Elektronikindustrie macht.

Eigenschaften und Vorteile


• Niedriger RDS(on) minimiert den Leistungsverlust während des Betriebs

• Maximale Gate-Schwellenspannung verbessert die Schalteffizienz

• Oberflächenmontiertes Design erleichtert die Integration in kompakte PCBs

• AEC-qualifiziert, um strenge Automobilstandards zu erfüllen

• Hochtemperaturbetrieb bei bis zu +150°C für lange Lebensdauer

Anwendungsbereich


• Leistungsmanagement in der Automobilelektronik

• Geeignet für DC-DC-Wandler in Elektrofahrzeugen

• Einsatz in der Motorsteuerung für Robotik und Automatisierung

• Lastschalter in der Unterhaltungselektronik

Wie hoch ist die typische Gate-Ladung bei 10 V?


Die typische Gate-Ladung beträgt 31nC, wodurch die Schaltleistung bei 10 V optimiert wird.

Ist dies für Anwendungen in Hochtemperaturumgebungen geeignet?


Ja, er arbeitet zuverlässig bei Temperaturen bis zu +150 °C und ist damit ideal für schwierige Bedingungen.

Wie bewältigt dieses Bauteil hohe Stromlasten?


Mit einem maximalen Dauerstrom von 5.2A bewältigt er effektiv hohe Lasten bei gleichbleibender Leistung.

Kann dieser MOSFET die Energieverluste wirksam reduzieren?


Ja, der niedrige RDS(on) minimiert den Durchlasswiderstand und trägt so zur Verringerung der Energieverluste während des Betriebs bei.

Hält dieses Produkt die Umweltstandards ein?


Ja, es ist RoHS-konform und erfüllt damit die Umweltschutznormen für elektronische Bauteile.

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