IXYS PolarHVTM HiPerFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 70 A 625 W, 3-Pin ISOPLUS264
- RS Best.-Nr.:
- 125-8039
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFL100N50P
- Marke:
- IXYS
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.29.642
Auf Lager
- 35 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 1 | CHF.29.64 |
| 2 - 4 | CHF.26.73 |
| 5 - 9 | CHF.26.03 |
| 10 - 24 | CHF.25.37 |
| 25 + | CHF.24.75 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 125-8039
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFL100N50P
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 70A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | ISOPLUS264 | |
| Serie | PolarHVTM HiPerFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 52mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 625W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 240nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 20.29mm | |
| Höhe | 26.42mm | |
| Breite | 5.21 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 70A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße ISOPLUS264 | ||
Serie PolarHVTM HiPerFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 52mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 625W | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 240nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 20.29mm | ||
Höhe 26.42mm | ||
Breite 5.21 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS Serie HiperFET PolarHV
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs vom Anreicherungstyp der Serie IXYS PolarHV™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
Verwandte Links
- IXYS PolarHVTM HiPerFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 70 A 625 W, 3-Pin ISOPLUS264
- IXYS Polar HiPerFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 300 V / 70 A 300 W, 3-Pin ISOPLUS247
- IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 850 V / 90 A 1.79 kW, 3-Pin PLUS264
- IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 1 kV / 24 A 568 W, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 48 A 500 W, 3-Pin TO-264
- IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 1 kV / 36 A 700 W, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 145 A 1.04 kW, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 60 A 780 W, 3-Pin TO-268