IXYS PolarHVTM HiPerFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 70 A 625 W, 3-Pin ISOPLUS264
- RS Best.-Nr.:
- 168-4575
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFL100N50P
- Marke:
- IXYS
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stange mit 25 Stück)*
CHF.699.425
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 24. August 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 25 + | CHF 27.977 | CHF 699.55 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 168-4575
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFL100N50P
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 70A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | PolarHVTM HiPerFET | |
| Gehäusegröße | ISOPLUS264 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 52mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 625W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 240nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.21mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 26.42mm | |
| Länge | 20.29mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 70A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie PolarHVTM HiPerFET | ||
Gehäusegröße ISOPLUS264 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 52mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 625W | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 240nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.21mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 26.42mm | ||
Länge 20.29mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS Serie HiperFET PolarHV
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs vom Anreicherungstyp der Serie IXYS PolarHV™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
Verwandte Links
- IXYS PolarHVTM HiPerFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 70 A 625 W, 3-Pin ISOPLUS264
- IXYS HiperFET, Polar Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 600 V / 40 A 625 W, 4-Pin SOT-227
- IXYS Polar HiPerFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 300 V / 70 A 300 W, 3-Pin ISOPLUS247
- IXYS HiperFET, Q3-Class Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 70 A 690 W, 3-Pin TO-247
- IXYS Einfach HiperFET, Q3-Class Typ N, Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage MOSFET 1000 V Erweiterung /
- IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 850 V / 90 A 1.79 kW, 3-Pin PLUS264
- IXYS GigaMOS, HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 550 A 830 W, 24-Pin SMPD
- IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 48 A 500 W, 3-Pin TO-264