Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 37.9 A 278 W, 4-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 130-0924
Herst. Teile-Nr.:: IPP60R099P6XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 37.9 A 278 W, 4-Pin TO-220

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	37.9A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Serie	CoolMOS P6
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	99mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	70nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	30 V
	Maximale Verlustleistung Pd	278W
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	4.57 mm
	Höhe	15.95mm
	Länge	10.36mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 37.9A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Serie CoolMOS P6
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 99mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 70nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 30 V
	Maximale Verlustleistung Pd 278W
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 4.57 mm
	Höhe 15.95mm
	Länge 10.36mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Infineon CoolMOS™ MOSFET der Serie P6, 37,9 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 278 W maximale Verlustleistung - IPP60R099P6XKSA1

Dieser MOSFET ist auf Hochleistungsanwendungen zugeschnitten, die ein effizientes Power-Management benötigen. Mit einem maximalen Dauer-Drainstrom von 37,9 A und einer Drain-Source-Spannung von 650 V eignet er sich hervorragend für den Einsatz in der Automatisierungs- und Elektronikbranche. Seine N-Kanal-Konfiguration im Anreicherungsmodus ermöglicht effektive Schaltfunktionen, was ihn zu einer bevorzugten Option für Fachleute in der Elektro- und Maschinenbauindustrie macht.

Eigenschaften und Vorteile

• Niedriger RDS(on) von 99mΩ verbessert die Schalteffizienz

• Kann bis zu 278 W für verbesserte Haltbarkeit ableiten

• Funktioniert gut bei hohen Temperaturen von bis zu +150°C

• ESD-Schutz über 2 kV gewährleistet zuverlässigen Betrieb

• Geeignet für harte und weiche Schaltanwendungen

• Verpackt in TO-220 für flexible Montageoptionen

Anwendungsbereich

• Einsatz in PFC-Stufen für effiziente Leistungsumwandlung

• Einsetzbar in hart schaltenden PWM-Stufen zur Leistungssteigerung

• Ideal für resonante Schaltstufen in verschiedenen elektronischen Produkten

• Verwendet in Adaptern und Netzteilen für elektronische Geräte

• Wirksam in industriellen Automatisierungssystemen, die eine hohe Leistung erfordern

Was ist der geeignete Gate-Source-Spannungsbereich für den Betrieb?

Der für den Betrieb geeignete Gate-Source-Spannungsbereich liegt zwischen -30V und +30V und gewährleistet ein sicheres und effektives Schalten.

Wie wirkt sich der niedrige RDS(on)-Wert auf die Energieeffizienz aus?

Der niedrige Widerstand verbessert den Wirkungsgrad durch geringere Leitungsverluste, was zu einer geringeren Wärmeentwicklung während des Betriebs führt.

Wie hoch ist die maximale Verlustleistung im Betrieb?

Die maximale Verlustleistung im Betrieb beträgt 278 W und ermöglicht eine robuste Leistung unter schwierigen Bedingungen.

Gibt es besondere Überlegungen für die Verwendung dieser Komponente in Parallelkonfigurationen?

Bei Parallelschaltung ist es ratsam, Ferritperlen am Gate oder separate Totempfähle zu verwenden, um die Leistung zu optimieren und Schwingungen zu minimieren.

Welche Maßnahmen zum Wärmemanagement sollten ergriffen werden?

Zu einem effektiven Wärmemanagement gehören eine angemessene Wärmeableitung und die Überwachung der Temperatur während des Betriebs, um die Leistung innerhalb der vorgegebenen Grenzen zu halten.