Nexperia Doppelt NX3008CBKS Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche Trench-MOSFET 30 V Erweiterung / 350 mA 990 mW, 6-Pin SC-88
- RS Best.-Nr.:
- 136-4842
- Herst. Teile-Nr.:
- NX3008CBKS,115
- Marke:
- Nexperia
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- Herst. Teile-Nr.:
- NX3008CBKS,115
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | Trench-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 350mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SC-88 | |
| Serie | NX3008CBKS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.1Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.52nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 990mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Breite | 1.35 mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 2.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ Trench-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 350mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SC-88 | ||
Serie NX3008CBKS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.1Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.52nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 990mW | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Breite 1.35 mm | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 2.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Nexperia
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
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