onsemi NVMFS5C604NL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 287 A 200 W, 4-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 141-3193
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFS5C604NLAFT1G
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 141-3193
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- NVMFS5C604NLAFT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 287A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Serie | NVMFS5C604NL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 120nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 6.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, Pb-Free | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Länge | 5.1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 287A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Serie NVMFS5C604NL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 120nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 6.1 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, Pb-Free | ||
Höhe 1.05mm | ||
Länge 5.1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
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