Vishay D Series Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 6 A 104 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 145-1660
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP6N40D-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.0.556 | CHF.27.62 |
| 100 - 200 | CHF.0.434 | CHF.21.82 |
| 250 + | CHF.0.384 | CHF.19.34 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 145-1660
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP6N40D-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 400V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | D Series | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.65 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.51mm | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 400V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie D Series | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.65 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.51mm | ||
Höhe 9.01mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MOSFET D, Serie Hohe Spannung, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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