Vishay IRF620 N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 200 V / 5.2 A 50 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 543-0052
- Distrelec-Artikelnummer:
- 171-15-009
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF620PBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stück)*
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF 1.56 |
| 10 - 49 | CHF 1.41 |
| 50 - 99 | CHF 1.34 |
| 100 - 249 | CHF 1.17 |
| 250 + | CHF 1.09 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 543-0052
- Distrelec-Artikelnummer:
- 171-15-009
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF620PBF
- Marke:
- Vishay
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | IRF620 | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.8Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.41mm | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC | |
| Breite | 4.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie IRF620 | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.8Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.41mm | ||
Höhe 9.01mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC | ||
Breite 4.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRF620 von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 200 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 5,2 A – IRF620PBF
Merkmale und Vorteile:
• 5,2 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• 0,8 Ω Rds(on) liefert vorhersehbare Leitungsverluste für die thermische Planung
• Die Verlustleistung von 50 W ermöglicht einen dauerhaften Betrieb mit einem Kühlkörper
• 14 nC typische Gate-Ladung ermöglicht effizientes Gate-Drive-Design
• Gate-Source-Beständigkeit bis zu 20 V schützt vor Überladung während der Steuerung
Anwendungen
• Ideal für Schaltnetzteile, die mit Zwischenspannungen umgehen
• Wird für die Halbleiterschaltung von Relais-Ersatz in Schalttafeln verwendet
• Kann für Laborstromprojekte verwendet werden, die eine Durchsteckmontage erfordern
• Wird mit Wärmeleitbaugruppen für die industrielle Stromumwandlung verwendet
In welchem Temperaturbereich kann er für den industriellen Einsatz betrieben werden?
Wie viele Stifte und welche Montageart sind auf einer Platine erforderlich?
Welche Überlegungen sollten beim Gate-Antrieb für einen sicheren Betrieb berücksichtigt werden?
Welche mechanischen Gehäuseabmessungen beeinflussen die Panel-Integration?
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