Vishay IRF620 N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 200 V / 5.2 A 50 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 178-0854
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF620PBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF 35.85
Auf Lager
- 900 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 0.717 | CHF 36.01 |
| 100 - 200 | CHF 0.616 | CHF 30.60 |
| 250 + | CHF 0.545 | CHF 27.02 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-0854
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF620PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | IRF620 | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.8Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.41mm | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC | |
| Breite | 4.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie IRF620 | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.8Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.41mm | ||
Höhe 9.01mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC | ||
Breite 4.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRF620 von Vishay, 200 V Drain-Source-Spannung, 50 W Verlustleistung – IRF620PBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor für die Durchsteck-Leistungselektronik. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Schalt- und Verstärkungsaufgaben, bei denen eine robuste Ablass-Quellenspannung erforderlich ist. Die Komponente ist in einem herkömmlichen Durchsteckgehäuse untergebracht, um die Montage in Baugruppen mit gemischter Technologie zu erleichtern.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 200 V Drain-Source ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• Der Einschaltwiderstand von 0,8 Ω reduziert Leitungsverluste in Schwachstromkreisen
• 5.2 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Leistungslasten
• Die Verlustleistung von 50 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Typische Gate-Ladung von 14 nC fördert eine effiziente Gate-Ansteuerung bei Vgs20 V
• Der N-Kanal-Verbesserungsmodus vereinfacht den Einsatz in gängigen Schalttopologien
• Der Einschaltwiderstand von 0,8 Ω reduziert Leitungsverluste in Schwachstromkreisen
• 5.2 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Leistungslasten
• Die Verlustleistung von 50 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Typische Gate-Ladung von 14 nC fördert eine effiziente Gate-Ansteuerung bei Vgs20 V
• Der N-Kanal-Verbesserungsmodus vereinfacht den Einsatz in gängigen Schalttopologien
Anwendungen
• Geeignet für Stromversorgungen zur Handhabung von Hochspannungsschienen
• Ideal für die Motorsteuerung in kleinen industriellen Antrieben
• Wird mit Audioverstärkern verwendet, die Hochspannungstransistoren erfordern
• Kann für DC/DC-Wandler in Tischgeräten verwendet werden
• Geeignet für Hobby- und Prototyping-Durchsteckmontage
• Ideal für die Motorsteuerung in kleinen industriellen Antrieben
• Wird mit Audioverstärkern verwendet, die Hochspannungstransistoren erfordern
• Kann für DC/DC-Wandler in Tischgeräten verwendet werden
• Geeignet für Hobby- und Prototyping-Durchsteckmontage
Welche Gate-Spannung sollte für eine zuverlässige Schaltung angewendet werden?
Das Gerät nimmt bis zu 20 V zwischen Gate und Quelle auf
verwenden Sie geeignete Gate-Drive-Spannungen unter diesem Maximum, um effektiv zu schalten.
Wie wirkt sich die thermische Leistung auf die Montageentscheidungen aus?
Mit einer maximalen Verlustleistung von 50 W wird ein Kühlkörper oder eine ausreichende Leiterplatten-Kupferfläche empfohlen, um die Sperrschichttemperaturen während des Dauerbetriebs innerhalb sicherer Grenzen zu halten.
Was sind die erwarteten Schalteigenschaften?
Die typische Gate-Ladung von 14 nC am spezifizierten Gate-Antrieb weist auf einen moderaten Gate-Antrieb-Energiebedarf hin und beeinflusst die Schaltgeschwindigkeit und die Treiberwahl.
Welche extremen Umgebungsbedingungen kann er tolerieren?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in einer Vielzahl von Umgebungsbedingungen und Umgebungen mit erhöhten Temperaturen.
Verwandte Links
- Vishay IRF620 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 200 V / 5.2 A 50 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay Einfach Typ N-Kanal Leistungs-MOSFET 200 V / 5.2 A 50 W JEDEC TO-220AB
- Vishay IRF510 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 100 V / 5.6 A 43 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 40 V / 202 A 333 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay IRFBG30 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 1 kV / 3.1 A 125 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay IRF740LC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 10 A 125 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 48 A 110 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay RF9Z10 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 6.7 A 43 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB