Vishay IRF620 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 200 V / 5.2 A 50 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 178-0854
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF620PBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.29.95
Auf Lager
- 150 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.0.599 | CHF.30.14 |
| 100 - 200 | CHF.0.515 | CHF.25.62 |
| 250 + | CHF.0.452 | CHF.22.63 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-0854
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF620PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | IRF620 | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.8Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.41mm | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Breite | 4.7 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie IRF620 | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.8Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.41mm | ||
Höhe 9.01mm | ||
Breite 4.7 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay IRF620 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 200 V / 5.2 A 50 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay Einfach Typ N-Kanal Leistungs-MOSFET 200 V / 5.2 A 50 W JEDEC TO-220AB
- Vishay Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 8.7 A 156 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 6 A 104 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 40 V / 202 A 333 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 48 A 110 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay IRFZ Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 30 A 88 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 55 V / 51 A 110 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
