Vishay IRF620 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 200 V / 5.2 A 50 W, 3-Pin IRF620PBF JEDEC
- RS Best.-Nr.:
- 178-0854
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF620PBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.0.599 | CHF.30.14 |
| 100 - 200 | CHF.0.515 | CHF.25.62 |
| 250 + | CHF.0.452 | CHF.22.63 |
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- RS Best.-Nr.:
- 178-0854
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF620PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRF620 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.8Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Länge | 10.41mm | |
| Breite | 4.7 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRF620 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.8Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC | ||
Höhe 9.01mm | ||
Länge 10.41mm | ||
Breite 4.7 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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