Vishay IRL Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 100 V / 15 A 88 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 708-4866
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL530PBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.9.745
Vorübergehend ausverkauft
- 5 Einheit(en) mit Versand ab 23. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.949 | CHF.9.74 |
| 50 - 120 | CHF.1.768 | CHF.8.86 |
| 125 - 245 | CHF.1.555 | CHF.7.80 |
| 250 - 495 | CHF.1.465 | CHF.7.32 |
| 500 + | CHF.1.364 | CHF.6.81 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 708-4866
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL530PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | IRL | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.16Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 88W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±10 V | |
| Durchlassspannung Vf | 2.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.7 mm | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Länge | 10.41mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie IRL | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.16Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 88W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±10 V | ||
Durchlassspannung Vf 2.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.7 mm | ||
Höhe 9.01mm | ||
Länge 10.41mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay IRL Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 100 V / 15 A 88 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay IRFZ Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 30 A 88 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 60 V / 30 A 88 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 92 A 80 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- onsemi QFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 30 A 79 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay RF9Z10 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 6.7 A 43 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay IRFZ Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 17 A 60 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 55 V / 51 A 110 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB