Vishay Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 60 V / 30 A 88 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 180-8365
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLZ34PBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.397 | CHF.69.93 |
| 100 - 200 | CHF.1.334 | CHF.66.47 |
| 250 + | CHF.1.26 | CHF.62.95 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-8365
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLZ34PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.05Ω | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 88W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 35nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±10 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC | |
| Länge | 14.4mm | |
| Höhe | 6.48mm | |
| Breite | 10.52 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.05Ω | ||
Maximale Verlustleistung Pd 88W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 35nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±10 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC | ||
Länge 14.4mm | ||
Höhe 6.48mm | ||
Breite 10.52 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal TO-220AB-3-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 50 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 5 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 88 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Dynamische dV/dt-Bewertung
• Einfache Parallelschaltung
• Schnelles Schalten
• bleifreie Komponente (Pb)
• Logikebenen-Gate-Ansteuerung
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• Einfache Laufwerkanforderungen
Anwendungen
• Akkuladegeräte
• Umrichter
• Netzteile
• Schaltnetzteil (SMPS)
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