Vishay Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 60 V / 30 A 88 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
180-8733
Herst. Teile-Nr.:
IRLZ34PBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.05Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

88W

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

35nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

14.4mm

Höhe

6.48mm

Normen/Zulassungen

RoHS 2002/95/EC

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal TO-220AB-3-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 50 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 5 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 88 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Dynamische dV/dt-Bewertung

• Einfache Parallelschaltung

• Schnelles Schalten

• bleifreie Komponente (Pb)

• Logikebenen-Gate-Ansteuerung

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.

• Einfache Laufwerkanforderungen

Anwendungen


• Akkuladegeräte

• Umrichter

• Netzteile

• Schaltnetzteil (SMPS)

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