Vishay IRFU1N60A Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 1.4 A 36 W, 3-Pin IPAK

RS Best.-Nr.:: 145-1664
Herst. Teile-Nr.:: IRFU1N60APBF
Marke:: Vishay

Vishay IRFU1N60A Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 1.4 A 36 W, 3-Pin IPAK

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 145-1664
Herst. Teile-Nr.:: IRFU1N60APBF
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	1.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Gehäusegröße	IPAK
	Serie	IRFU1N60A
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	7Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	14nC
	Maximale Verlustleistung Pd	36W
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Durchlassspannung Vf	1.6V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Breite	2.39mm
	Höhe	6.22mm
	Länge	6.73mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Gehäusegröße IPAK
	Serie IRFU1N60A
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 7Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC
	Maximale Verlustleistung Pd 36W
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Durchlassspannung Vf 1.6V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Breite 2.39mm
	Höhe 6.22mm
	Länge 6.73mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: MY

Leistungs-MOSFET der Serie IRFU1N60A von Vishay, 600 V Drain-Source-Spannung, 36 W Verlustleistung - IRFU1N60APBF

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für Leistungsumwandlungs- und Steuerungsaufgaben in industriellen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Es eignet sich für die Durchsteckmontage und bietet konservative Betriebsgrenzen für anspruchsvolle Umgebungen, in denen hohe Spannung und thermische Beständigkeit erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• 600 V-Ableitstrom ermöglicht den Betrieb in Hochspannungsstromkreisen
• 1,4 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht die Handhabung leichter bis moderater Lasten
• 7 Ω RDS(on) sorgt für vorhersehbare Leitungscharakteristiken
• 14 nC typische Gate-Ladung unterstützt niedrigere Schaltverluste
• Die Verlustleistung von 36 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme bei erhöhten Temperaturen
• 150 °C maximale Sperrschichttemperatur unterstützt Hochtemperaturbetrieb

Anwendungen

• Geeignet für Schaltnetzteile in industriellen Automatisierungsanlagen
• Ideal für Hochspannungs-Leistungstransistoren in Motorsteuerungsschnittstellen
• Wird für die Umwandlung von Hilfsstrom in elektrischen Verteilermodulen verwendet
• Kann zum Schalten von Signalen in Instrumenten verwendet werden, die Durchsteckteile erfordern

Welche Gate-Drive-Bedenken sollte ich zulassen?

Die Antriebsschaltkreise sollten eine maximale Gate-Source-Nennspannung von 30 V aufnehmen und genügend Antriebsstrom zur Verfügung stellen, um das 14 nC-Gate für die beabsichtigte Schaltgeschwindigkeit zu laden.

Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Montage und die thermische Handhabung aus?

Das dreipolige IPAK-Gehäuse mit Durchgangsbohrung ermöglicht robuste Lötverbindungen und eine Montageart, die die Wärmeübertragung auf eine Kupferplatte oder eine Kühlkörperanordnung erleichtern kann.

Welcher Umgebungstemperaturbereich wird für den Einsatz unterstützt?

Das Gerät arbeitet in einem Temperaturbereich von -55 °C bis maximal 150 °C

ist ein Wärmemanagement erforderlich, um die Sperrschichttemperatur unter dem Grenzwert zu halten.

Gibt es Umwelt- oder gesetzliche Merkmale zu beachten?

Die Komponente erfüllt die RoHS-Kriterien für eingeschränkte Stoffe und entspricht nicht den Automobilstandards.