Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3.2 A 1 W, 4-Pin SOT-89

RS Best.-Nr.:: 145-8766
Herst. Teile-Nr.:: BSS606NH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3.2 A 1 W, 4-Pin SOT-89

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RS Best.-Nr.:: 145-8766
Herst. Teile-Nr.:: BSS606NH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	3.2A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	SOT-89
	Serie	OptiMOS 3
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	90mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	3.7nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	1W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Durchlassspannung Vf	1.1V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1.5mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	2.5 mm
	Länge	4.5mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.2A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße SOT-89
	Serie OptiMOS 3
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 90mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.7nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 1W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Durchlassspannung Vf 1.1V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1.5mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 2.5 mm
	Länge 4.5mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Ursprungsland:: MY

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V

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