IXYS Polar3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 60 A 1040 W, 3-Pin TO-3PN
- RS Best.-Nr.:
- 146-1755
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFQ60N50P3
- Marke:
- IXYS
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 146-1755
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFQ60N50P3
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-3PN | |
| Serie | Polar3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 100mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 96nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1040W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.4V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 15.8mm | |
| Höhe | 20.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-3PN | ||
Serie Polar3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 100mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 96nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1040W | ||
Durchlassspannung Vf 1.4V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 15.8mm | ||
Höhe 20.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- US
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
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