IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 500 V / 63 A 780 W, 4-Pin SOT-227
- RS Best.-Nr.:
- 146-1760
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFN80N50Q3
- Marke:
- IXYS
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (10 Stück, in einer Stange mit 10)*
CHF 479.35
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 22. Juni 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 10 + | CHF 47.935 | CHF 479.36 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 146-1760
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFN80N50Q3
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 63A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | SOT-227 | |
| Serie | HiperFET, Q3-Class | |
| Montageart | Panel | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 200nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 780W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.4V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30V, +30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 9.6mm | |
| Länge | 38.23mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 25.07mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 63A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße SOT-227 | ||
Serie HiperFET, Q3-Class | ||
Montageart Panel | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 200nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 780W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.4V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 9.6mm | ||
Länge 38.23mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 25.07mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- US
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3
Die HiperFET™ Leistungs-MOSFETs der Klasse IXYS Q3 sind für hartes Schalten wie auch für Resonanzmodusanwendungen geeignet und bieten eine niedrige Gate-Ladung mit außergewöhnlicher Robustheit. Die Geräte umfassen eine schnelle integrierte Diode und sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Ausführungen sowie mit Nennwerten bis zu 1100 V und 70 A erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, Batterieladegeräte, Schalt- Resonanztyp-Netzteile, DC-Chopper, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.
Schnelle interne Gleichrichterdiode
Niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung)
Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
Industriestandard-Gehäuse
Niedrige Gehäuseinduktivität
Hohe Leistungsdichte
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
Verwandte Links
- IXYS HiperFET, Q3-Class Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 500 V / 63 A 780 W, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET, Q3-Class Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 800 V / 37 A 780 W, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET, Q3-Class Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 1 kV / 28 A 780 W, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET, Q3-Class Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 500 V / 82 A 960 W, 4-Pin SOT-227
- IXYS Einfach HiperFET, Q3-Class Typ N-Kanal 1, Schraubanschlussklemme MOSFET 1000 V Erweiterung / 38 A, 4-Pin SOT-227
- IXYS Einfach HiperFET, Q3-Class Typ N, Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage MOSFET 1000 V Erweiterung /
- IXYS HiperFET, Q3-Class Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 45 A 500 W, 3-Pin ISOPLUS247
- IXYS HiperFET, Q3-Class Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1 kV / 10 A 400 W, 3-Pin ISOPLUS247