IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 850 V / 110 A 1.17 kW, 4-Pin IXFN110N85X SOT-227

RS Best.-Nr.:: 146-4249
Herst. Teile-Nr.:: IXFN110N85X
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 850 V / 110 A 1.17 kW, 4-Pin IXFN110N85X SOT-227

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Herst. Teile-Nr.:: IXFN110N85X
Marke:: IXYS

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	IXYS
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	110A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	850V
	Serie	HiperFET
	Gehäusegröße	SOT-227
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	33mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.4V
	Gate-Source-spannung max Vgs	30 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	425nC
	Maximale Verlustleistung Pd	1.17kW
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	25.07 mm
	Länge	38.23mm
	Höhe	9.6mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke IXYS
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 110A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 850V
	Serie HiperFET
	Gehäusegröße SOT-227
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 33mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.4V
	Gate-Source-spannung max Vgs 30 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 425nC
	Maximale Verlustleistung Pd 1.17kW
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 25.07 mm
	Länge 38.23mm
	Höhe 9.6mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Die Leistungs-MOSFETs 850V Ultra-Junction X-Class mit Fast-Body-Dioden ist eine neue Leistungshalbleiter-Produktlinie von IXYS Corporation. Diese robusten Geräte bieten den niedrigsten Betriebswiderstand der Branche für eine sehr hohe Leistungsdichte in Anwendungen mit Hochspannungs-Leistungsumwandlung. Die neuen 850V-Geräte wurden unter Verwendung des Ladungskompensationsprinzips und proprietärer Prozesstechnologie entwickelt und weisen die niedrigsten Betriebswiderstände (z. B. 33 Milliohm im SOT-227-Gehäuse und 41 Milliohm beim PLUS264) sowie geringe Gate Aufladungen und überlegene dv/dt-Leistung auf.

Extrem niedriger Betriebswiderstand RDS(ON) und Gate-Ladung Qg

Fast-Body-Diode

dv/dt Robustheit

Für Stoßentladung ausgelegt

Niedrige Gehäuseinduktivität

Gehäuse nach internationaler Norm

IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 850 V / 110 A 1.17 kW, 4-Pin IXFN110N85X SOT-227

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