Nexperia BUK9Y7R640E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 79 A 95 W, 5-Pin LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 153-2862
- Herst. Teile-Nr.:
- BUK9Y7R6-40E,115
- Marke:
- Nexperia
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|---|---|---|
| 25 - 100 | CHF.0.756 | CHF.18.98 |
| 125 - 225 | CHF.0.546 | CHF.13.67 |
| 250 - 600 | CHF.0.536 | CHF.13.31 |
| 625 - 1225 | CHF.0.515 | CHF.12.97 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 153-2862
- Herst. Teile-Nr.:
- BUK9Y7R6-40E,115
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 79A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Serie | BUK9Y7R640E | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15.28mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 15 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 95W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.1 mm | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Länge | 5mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 79A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Serie BUK9Y7R640E | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15.28mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 15 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 95W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.1 mm | ||
Höhe 1.05mm | ||
Länge 5mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
N-Kanal-MOSFET mit Logikpegel, 40 V, 7,6 mΩ, in LFPAK56, N-Kanal MOSFET mit Logikpegel in einem LFPAK56 (Power SO8) Gehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt wurde entwickelt und qualifiziert gemäß dem AEC Q101-Standard für den Einsatz in Hochleistungs-Kfz-Anwendungen.
Q101-konform
Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt
Geeignet für thermisch anspruchsvolle Umgebungen aufgrund der Auslegung für 175 °C:
Gate mit echtem Logikpegel mit einem VGS(th)-Nennwert von über 0,5 V bei 175 °C
12-V-Kfz-Systeme
Motoren, Leuchten und Magnetschaltersteuerung
Getriebesteuerung
Schalten von extrem hohen Leistungen
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