Vishay SUD23N06-31 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 23 A 31.25 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 165-2431
Herst. Teile-Nr.:: SUD23N06-31-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SUD23N06-31 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 23 A 31.25 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Herst. Teile-Nr.:: SUD23N06-31-GE3
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Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	23A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	SUD23N06-31
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	31mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	31.25W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	11nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	1V
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Länge	6.73mm
	Höhe	2.38mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Breite	6.22mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 23A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie SUD23N06-31
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 31mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 31.25W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 1V
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Länge 6.73mm
	Höhe 2.38mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Breite 6.22mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: TW

MOSFET der Serie SUD23N06-31 von Vishay, 60 V Drain-Quellenspannung, 23 A kontinuierlicher Drain-Strom – SUD23N06-31-GE3

Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Transistor, der zum Schalten und Steuern der Leistung in elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet bei Spannungen bis zu 60 V und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine hohe kontinuierliche Strombelastbarkeit und eine moderate Verlustleistung in einem kompakten TO-252-Gehäuse erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• 23 A kontinuierlicher Ablassstrom für Hochstromschaltfähigkeit
• 31 mΩ Rds(on) für reduzierte Leitungsverluste und verbesserte Effizienz
• 11 nC typische Gate-Ladung für schnelleres Schalten mit niedrigeren Antriebsanforderungen
• Maximale Verlustleistung von 31,25 W zur Bewältigung thermischer Belastungen unter belasteten Bedingungen
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V für robusten Gate-Drive-Headroom
• Betriebsbereich von -55 °C bis +150 °C für breite Umweltverträglichkeit

Anwendungen

• Geeignet für DC-Motortreiber, die einen anhaltend hohen Strom erfordern
• Ideal für Leistungsumwandlungsstufen in der industriellen Automatisierung
• Wird zum Schalten von Lasten in Stromverteilungsbaugruppen verwendet
• Kann für Schaltnetzteile in Steuerungssystemen verwendet werden

Welche Montageart verwendet es und wie wirkt sich das auf die Montage aus?

Es wird in einem TO-252-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das automatisierte Lötprozesse und kompakte Leiterplatten-Layouts ermöglicht.

Wie verarbeitet das Gerät das Wärmemanagement auf einer Leiterplatte?

Mit einer maximalen Verlustleistung von 31,25 W erfordert es eine ausreichende Kupferfläche oder Wärmeleitungen, um die Wärme vom Gehäuse auf die Leiterplatte zu verteilen.

Welche Gate-Antriebsaspekte sind für einen zuverlässigen Betrieb erforderlich?

Der Gate-Antrieb muss innerhalb von ±20 V gegenüber der Quelle bleiben und eine ausreichende Ladungsabgabe bieten, um die typische Gate-Ladung von 11 nC für die gewünschte Schaltgeschwindigkeit zu erreichen.

Welche elektrischen Grenzwerte müssen bei der Konstruktion beachtet werden?

Stellen Sie sicher, dass die Ablass-Quellenspannung niemals 60 V überschreitet und der kontinuierliche Ablassstrom unter den vorgesehenen Kühlbedingungen 23 A nicht überschreitet.