Infineon Isoliert OptiMOS 2 N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 950 mA 500 mW, 6-Pin SC-88
- RS Best.-Nr.:
- 165-5872
- Herst. Teile-Nr.:
- BSD235NH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 165-5872
- Herst. Teile-Nr.:
- BSD235NH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 950mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SC-88 | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 600mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.32nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Länge | 2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.25mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 950mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SC-88 | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 600mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.32nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.8mm | ||
Länge 2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.25mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon OptiMOS 2 Serie MOSFET, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 600 mΩ maximaler Drain-Source-Widerstand – BSD235NH6327XTSA1
Dieser MOSFET ist ein kompakter, oberflächenmontierter N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsmanagementaufgaben in Automobil- und Industrieumgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Gerät mit einer isolierten Transistorkonfiguration und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine geringe Gate-Ladungsschaltung und eine thermische Beständigkeit bei hohen Temperaturen erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Maximale Ablassspannung von 20 V ermöglicht sicheres Schalten bei niedriger Spannung
• 600 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die typische Gate-Ladung von 0,32 nC sorgt für schnelles, energiesparendes Schalten
• 950 mA kontinuierlicher Ableitstrom unterstützen bescheidene Lastströme
• 500 mW Verlustleistung ermöglichen einen dauerhaften Betrieb unter Last
• Die AEC‐Q101-Qualifikation eignet sich für die Prüfung von Kfz-Elektronik
• 600 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die typische Gate-Ladung von 0,32 nC sorgt für schnelles, energiesparendes Schalten
• 950 mA kontinuierlicher Ableitstrom unterstützen bescheidene Lastströme
• 500 mW Verlustleistung ermöglichen einen dauerhaften Betrieb unter Last
• Die AEC‐Q101-Qualifikation eignet sich für die Prüfung von Kfz-Elektronik
Anwendungsbereich
• Geeignet für das Schalten von Versorgungsschienen in Automobilmodulen
• Ideal für Lastschaltvorgänge in Karosseriesteuerungseinheiten
• Wird für Gate-Treiber und sekundäre Leistungsstufen verwendet
• Kann für das kompakte Energiemanagement in allgegenwärtigen SMD-Designs verwendet werden
• Geeignet für Zweikanal-Schaltung in Sensorschnittstellen
• Ideal für Lastschaltvorgänge in Karosseriesteuerungseinheiten
• Wird für Gate-Treiber und sekundäre Leistungsstufen verwendet
• Kann für das kompakte Energiemanagement in allgegenwärtigen SMD-Designs verwendet werden
• Geeignet für Zweikanal-Schaltung in Sensorschnittstellen
Welche Gate-Drive-Grenzwerte sollten für einen sicheren Betrieb beachtet werden?
Das Gerät nimmt Gate-Source-Spannungen bis maximal 12 V auf
bleiben die Antriebsstromkreise innerhalb dieser Grenze, um eine Gate-Oxidbelastung zu vermeiden.
Wie wirkt sich der thermische Bereich auf die Platzierung in Designs aus?
Es arbeitet zwischen -55 °C und 150 °C, sodass es in der Nähe wärmeerzeugender Komponenten platziert werden kann, aber trotzdem thermische Berücksichtigung für die Leiterplatten-Kupferfläche und den Luftstrom erforderlich ist, um eine Verlustleistung von 500 mW zu bewältigen.
Wie viele diskrete Elemente sind auf der Matrize vorhanden?
Der Chip enthält zwei Elemente, die nützlich sind, wenn gepaarte Schaltkanäle in einem einzigen Gehäuse benötigt werden.
Welche physischen Gehäusebeschränkungen beeinflussen das Leiterplatten-Layout?
Die Komponente wird in einem SC-88-Gehäuse mit sechs Stiften geliefert, sodass die Grundfläche der Planung dem kleinen SMD-Pin-Array und dem Spiel für Lötfilets gerecht werden muss.
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