Infineon Isoliert OptiMOS 2 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 950 mA 500 mW, 6-Pin SC-88

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RS Best.-Nr.:
165-5872
Herst. Teile-Nr.:
BSD235NH6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

950mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SC-88

Serie

OptiMOS 2

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

600mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.32nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Höhe

0.8mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.25 mm

Länge

2mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

Leistungs-MOSFET-Familie Infineon OptiMOS™2


Die Infineon-OptiMOS™-2-N-Kanalproduktfamilie bietet den branchenweit niedrigsten Durchlasswiderstand innerhalb ihrer Spannungsgruppe. Die Power MOSFET-Serien können in vielen Anwendungen verwendet werden, etwa Hochfrequenztelekommunikation, Datenkommunikation, Solarbereich, Niederspannungsantriebe sowie Servernetzteile. Die OptiMOS 2-Produktfamilie ist ab 20 V erhältlich und bietet eine Auswahl von verschiedenen Gehäusearten.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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