Infineon Isoliert OptiMOS 2 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 950 mA 500 mW, 6-Pin SC-88

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 250 Stück)*

CHF.42.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 8’250 Einheit(en) mit Versand ab 23. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
250 +CHF.0.168CHF.42.53

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
827-0115
Herst. Teile-Nr.:
BSD235NH6327XTSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

950mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

OptiMOS 2

Gehäusegröße

SC-88

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

600mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.32nC

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Breite

1.25 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

2mm

Höhe

0.8mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Leistungs-MOSFET-Familie Infineon OptiMOS™2


Die Infineon-OptiMOS™-2-N-Kanalproduktfamilie bietet den branchenweit niedrigsten Durchlasswiderstand innerhalb ihrer Spannungsgruppe. Die Power MOSFET-Serien können in vielen Anwendungen verwendet werden, etwa Hochfrequenztelekommunikation, Datenkommunikation, Solarbereich, Niederspannungsantriebe sowie Servernetzteile. Die OptiMOS 2-Produktfamilie ist ab 20 V erhältlich und bietet eine Auswahl von verschiedenen Gehäusearten.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links