Infineon Isoliert OptiMOS N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 300 mA 500 mW, 6-Pin SC-88
- RS Best.-Nr.:
- 827-0002
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002DWH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 827-0002
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002DWH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 300mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | SC-88 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Durchlassspannung Vf | 0.96V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Breite | 1.25mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 300mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße SC-88 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Durchlassspannung Vf 0.96V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.8mm | ||
Breite 1.25mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 60 V Drain-Source-Spannung, 4 Ω Drain-Source-Widerstand – 2N7002DWH6327XTSA1
Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Transistor, der für das Schalten mit geringem Stromverbrauch in beengten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet im Enhancement-Modus und kombiniert zwei Elemente auf einem einzigen Chip, um eine kompakte Dual-Die-Schaltung zu liefern, die für Kfz- und Industrieumgebungen geeignet ist. Das Gerät ist für Anwendungen auf Board-Ebene vorgesehen, die eine geringe Strombelastbarkeit und einen kontrollierten Einschaltwiderstand erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 60 V ermöglicht Schaltanwendungen mit höherer Spannung
• Maximale Rds von 4 Ω reduziert Leitungsverluste im eingeschalteten Zustand
• 300 mA kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt niedrige Stromlasten
• Eine typische Gate-Ladung von 0,4 nC ermöglicht ein schnelles und effizientes Schalten
• Verlustleistung von 500 mW für thermisch begrenzte Designs mit geringer Leistungsaufnahme
• Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C gewährleistet thermische Beständigkeit
• Maximale Rds von 4 Ω reduziert Leitungsverluste im eingeschalteten Zustand
• 300 mA kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt niedrige Stromlasten
• Eine typische Gate-Ladung von 0,4 nC ermöglicht ein schnelles und effizientes Schalten
• Verlustleistung von 500 mW für thermisch begrenzte Designs mit geringer Leistungsaufnahme
• Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C gewährleistet thermische Beständigkeit
Anwendungsbereiche
• Geeignet für Mikrocontroller-gesteuerte Lastschaltung
• Ideal für die Schnittstelle von Sensoren in Automobilsystemen
• Wird mit Batteriemanagement-Ausgleichsschaltkreisen verwendet
• Kann für den Austausch kleiner Relais verwendet werden
• Geeignet für kompakte SMD-Strompfad-Steuerung
• Ideal für die Schnittstelle von Sensoren in Automobilsystemen
• Wird mit Batteriemanagement-Ausgleichsschaltkreisen verwendet
• Kann für den Austausch kleiner Relais verwendet werden
• Geeignet für kompakte SMD-Strompfad-Steuerung
Welche Gehäuse- und Pinanzahl sollte ich für das Leiterplatten-Layout vorbereiten?
Das Gerät wird in einem kleinen SC-88-Gehäuse für die Oberflächenmontage mit sechs Stiften geliefert, sodass Pads und Wärmeentlastung der Grundfläche des SC-88 entsprechen sollten.
Wie wirkt sich der Dual-Element-Chip auf den Parallelbetrieb aus?
Zwei Elemente auf derselben Matrize ermöglichen kompakte Zweikanalanordnungen ohne externe Anpassung, aber die Gesamttemperaturgrenzen bleiben pro Gehäuse erhalten.
Welche Gate- und Ablassspannungsgrenzwerte müssen beachtet werden?
Die Gate-Source-Spannung darf ±20 V nicht überschreiten, während die Drain-Source-Spannungsgrenze 60 V beträgt, um Gerätebelastungen zu vermeiden.
Welche Durchlassspannung kann bei der Leitung erwartet werden?
Eine Durchlassspannungsmessung von ca. 0,96 V gilt unter spezifizierten Prüfbedingungen für relevante Leitungswege.
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