Infineon Isoliert OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 300 mA 500 mW, 6-Pin SC-88
- RS Best.-Nr.:
- 827-0002
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002DWH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 827-0002
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002DWH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 300mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SC-88 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.96V | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Länge | 2mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 300mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SC-88 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.96V | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.8mm | ||
Länge 2mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS™-Zweifach-Leistungs-MOSFET
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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