Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.5 A 500 mW, 3-Pin SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 827-0030
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-44-426
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS214NWH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 250 - 750 | CHF 0.162 | CHF 40.91 |
| 1000 - 2750 | CHF 0.131 | CHF 31.82 |
| 3000 - 5750 | CHF 0.111 | CHF 27.27 |
| 6000 + | CHF 0.101 | CHF 25.76 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 827-0030
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-44-426
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS214NWH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 250mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 800mV | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.8nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -12V, +12V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 800μm | |
| Breite | 1.25mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 250mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 800mV | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.8nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -12V, +12V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 800μm | ||
Breite 1.25mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 1,5 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSS214NWH6327XTSA1
Dieser MOSFET ist ein kompaktes N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsschaltung und -verwaltung in eingeschränkten elektronischen Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Umgebungsbereich, der für anspruchsvolle Temperaturbedingungen geeignet ist, und wurde für Niederspannungs- und Niederstromanwendungen entwickelt, bei denen eine effiziente Leitfähigkeit und eine schnelle Gate-Reaktion erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 20 V Drain-Source ermöglicht Niederspannungs-Stromversorgungsdesigns
• 250 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Schaltwegen
• Typische Gate-Ladung von 0,8 nC unterstützt schnelle Gate-Übergänge
• 1,5 A kontinuierlicher Ablassstrom bewältigt bescheidene Lastströme
• Maximale Verlustleistung von 500 mW ermöglicht sicheren thermischen Durchmesser
• 12-V-Gate-Schwelle maximiert die Flexibilität des Gate-Antriebs
• 250 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Schaltwegen
• Typische Gate-Ladung von 0,8 nC unterstützt schnelle Gate-Übergänge
• 1,5 A kontinuierlicher Ablassstrom bewältigt bescheidene Lastströme
• Maximale Verlustleistung von 500 mW ermöglicht sicheren thermischen Durchmesser
• 12-V-Gate-Schwelle maximiert die Flexibilität des Gate-Antriebs
Anwendungsbereich
• Geeignet für das Schalten von Sensoren in Kraftfahrzeugen
• Ideal für Batteriemanagement und Lasttrennungen
• Wird mit Steuerungslogik in verteilten Leistungsmodulen verwendet
• Kann für kleine DC/DC-Wandler-Stufen verwendet werden
• Geeignet für die Umschaltung des Power-Paths von tragbaren Geräten
• Ideal für Batteriemanagement und Lasttrennungen
• Wird mit Steuerungslogik in verteilten Leistungsmodulen verwendet
• Kann für kleine DC/DC-Wandler-Stufen verwendet werden
• Geeignet für die Umschaltung des Power-Paths von tragbaren Geräten
Welchen Temperaturbereich verträgt er in extremen Umgebungen?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Kfz-Zonen mit hohen Temperaturen.
Wie kompakt ist es für Leiterplatten-Layouts mit hoher Dichte?
Die Komponente wird in einem winzigen SC-70-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das 2 mm x 1,25 mm misst und ein flaches Profil von 0,8 mm aufweist.
Welche Gate-Drive-Grenzwerte sollten Entwickler beachten?
Die Gate-Source-Spannung darf 12 V nicht überschreiten, um eine Überbelastung des Gate-Dielektrikums zu vermeiden.
Wie verhält sich das Gerät unter Dauerbelastung?
Er unterstützt einen konstanten Ablassstrom von 1,5 A und leitet bis zu 500 mW innerhalb seiner thermischen Einschränkungen ab.
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