Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.5 A 500 mW, 3-Pin SC-70

RS Best.-Nr.:: 165-5863
Herst. Teile-Nr.:: BSS214NWH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.5 A 500 mW, 3-Pin SC-70

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RS Best.-Nr.:: 165-5863
Herst. Teile-Nr.:: BSS214NWH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	1.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Serie	OptiMOS
	Gehäusegröße	SC-70
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	250mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	0.8V
	Gate-Source-spannung max Vgs	12V
	Maximale Verlustleistung Pd	500mW
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	0.8nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	2mm
	Höhe	0.8mm
	Breite	1.25mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Serie OptiMOS
	Gehäusegröße SC-70
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 250mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 0.8V
	Gate-Source-spannung max Vgs 12V
	Maximale Verlustleistung Pd 500mW
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.8nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 2mm
	Höhe 0.8mm
	Breite 1.25mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Ursprungsland:: CN

MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 1,5 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSS214NWH6327XTSA1

Dieser MOSFET ist ein kompaktes N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsschaltung und -verwaltung in eingeschränkten elektronischen Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Umgebungsbereich, der für anspruchsvolle Temperaturbedingungen geeignet ist, und wurde für Niederspannungs- und Niederstromanwendungen entwickelt, bei denen eine effiziente Leitfähigkeit und eine schnelle Gate-Reaktion erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 20 V Drain-Source ermöglicht Niederspannungs-Stromversorgungsdesigns
• 250 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Schaltwegen
• Typische Gate-Ladung von 0,8 nC unterstützt schnelle Gate-Übergänge
• 1,5 A kontinuierlicher Ablassstrom bewältigt bescheidene Lastströme
• Maximale Verlustleistung von 500 mW ermöglicht sicheren thermischen Durchmesser
• 12-V-Gate-Schwelle maximiert die Flexibilität des Gate-Antriebs

Anwendungsbereich

• Geeignet für das Schalten von Sensoren in Kraftfahrzeugen
• Ideal für Batteriemanagement und Lasttrennungen
• Wird mit Steuerungslogik in verteilten Leistungsmodulen verwendet
• Kann für kleine DC/DC-Wandler-Stufen verwendet werden
• Geeignet für die Umschaltung des Power-Paths von tragbaren Geräten

Welchen Temperaturbereich verträgt er in extremen Umgebungen?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Kfz-Zonen mit hohen Temperaturen.

Wie kompakt ist es für Leiterplatten-Layouts mit hoher Dichte?

Die Komponente wird in einem winzigen SC-70-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das 2 mm x 1,25 mm misst und ein flaches Profil von 0,8 mm aufweist.

Welche Gate-Drive-Grenzwerte sollten Entwickler beachten?

Die Gate-Source-Spannung darf 12 V nicht überschreiten, um eine Überbelastung des Gate-Dielektrikums zu vermeiden.

Wie verhält sich das Gerät unter Dauerbelastung?

Er unterstützt einen konstanten Ablassstrom von 1,5 A und leitet bis zu 500 mW innerhalb seiner thermischen Einschränkungen ab.