Infineon OptiMOS 2 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.4 A 500 mW, 3-Pin SC-70

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

CHF.183.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 30'000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 - 3000CHF 0.061CHF 169.68
6000 - 12000CHF 0.051CHF 163.62
15000 +CHF 0.051CHF 151.50

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
166-0980
Herst. Teile-Nr.:
BSS816NWH6327XTSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SC-70

Serie

OptiMOS 2

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

240mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.6nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Source-spannung max Vgs

8V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.25mm

Höhe

0.8mm

Länge

2mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
MY

Infineon OptiMOS 2 Serie MOSFET, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 1,4 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSS816NWH6327XTSA1


Dieser MOSFET ist ein kompaktes N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für die Niederspannungsschaltung in Kfz- und industriellen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich und ist für oberflächenmontierte Anwendungen vorgesehen, bei denen ein geringer Platzbedarf und eine geringe Leistungsaufnahme erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:


• Niedriger Einschaltwiderstand von 240 mΩ reduziert Leitungsverluste und Wärme
• Maximaler Ablassstrom von 1,4 A ermöglicht mäßiges Lastschalten
• Die Drain-Source-Nennspannung von 20 V unterstützt typische Kfz-Schienen
• Gate-Ladung 0,6 nC ermöglicht eine schnellere Gate-Ansteuerung und reduzierte Schaltverluste
• Die Verlustleistung von 500 mW ermöglicht einen dauerhaften Betrieb unter leichter Last
• Gate-Source-Grenzwert von 8 V schützt vor übermäßigen Antriebsspannungen

Anwendungsbereiche


• Geeignet für Schaltstufen in Kfz-Sensormodulen
• Ideal für Lastschaltvorgänge in 12-V-Hilfsstromkreisen
• Wird mit Batteriemanagement-Peripheriegeräten verwendet, die eine geringe Abmessung erfordern
• Kann zur Steuerung der Signalpegelleistung in Infotainment-Systemen verwendet werden
• Anwendbar für kompakte Motorantriebs-Gate-Stufen für niedrige Ströme

Welches Gehäuse eignet sich für Leiterplatten-Layouts mit hoher Dichte?


Er wird in einem oberflächenmontierten SC-70-Gehäuse geliefert, das die Platinenfläche minimiert und die automatische Platzierung unterstützt.

Wie verhält es sich bei hohen Umgebungstemperaturen?


Das Gerät ist für den Betrieb von -40 °C bis 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in rauen thermischen Umgebungen, die typisch für Autohauben-Standorte sind.

Welcher Antriebsspannungsbereich sollte auf das Gate angewendet werden?


Die maximal zulässige Gate-to-Source-Spannung beträgt 8 V, daher sollten Gate-Treiber so ausgewählt werden, dass sie innerhalb dieser Grenze bleiben.

Wie balanciert das Gerät die Schaltgeschwindigkeit und die Gate-Antriebsenergie?


Mit einer typischen Gate-Ladung von 0,6 nC benötigt er relativ wenig Energie zum Schalten, was die Effizienz in Systemen mit sich wiederholenden Übergängen erhöht.

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.