Infineon OptiMOS 2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.4 A 500 mW, 3-Pin SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 166-0980
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS816NWH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.159.00
Auf Lager
- 30’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | CHF.0.053 | CHF.163.80 |
| 6000 - 12000 | CHF.0.053 | CHF.154.35 |
| 15000 + | CHF.0.053 | CHF.144.90 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 166-0980
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS816NWH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 240mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 1.25 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Länge | 2mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 240mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 1.25 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.8mm | ||
Länge 2mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
Leistungs-MOSFET-Familie Infineon OptiMOS™2
Die Infineon-OptiMOS™-2-N-Kanalproduktfamilie bietet den branchenweit niedrigsten Durchlasswiderstand innerhalb ihrer Spannungsgruppe. Die Power MOSFET-Serien können in vielen Anwendungen verwendet werden, etwa Hochfrequenztelekommunikation, Datenkommunikation, Solarbereich, Niederspannungsantriebe sowie Servernetzteile. Die OptiMOS 2-Produktfamilie ist ab 20 V erhältlich und bietet eine Auswahl von verschiedenen Gehäusearten.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS™ 2 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,4 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,5 A 500 mW, 3-Pin SOT-323
- Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 190 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS™ N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 1,4 A; 1,5 A 500 mW, 6-Pin TSOP-6
- Infineon OptiMOS™ N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 500 mW, 6-Pin SOT-363
- Infineon OptiMOS™ 2 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,5 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS™ 2 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,3 A 500 mW, 3-Pin SOT-23