Infineon OptiMOS 2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.4 A 500 mW, 3-Pin SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 110-7113
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS816NWH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 300 Stück)*
CHF.18.90
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 300 + | CHF.0.063 | CHF.19.85 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 110-7113
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS816NWH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 240mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2mm | |
| Breite | 1.25 mm | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 240mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2mm | ||
Breite 1.25 mm | ||
Höhe 0.8mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Leistungs-MOSFET-Familie Infineon OptiMOS™2
Die Infineon-OptiMOS™-2-N-Kanalproduktfamilie bietet den branchenweit niedrigsten Durchlasswiderstand innerhalb ihrer Spannungsgruppe. Die Power MOSFET-Serien können in vielen Anwendungen verwendet werden, etwa Hochfrequenztelekommunikation, Datenkommunikation, Solarbereich, Niederspannungsantriebe sowie Servernetzteile. Die OptiMOS 2-Produktfamilie ist ab 20 V erhältlich und bietet eine Auswahl von verschiedenen Gehäusearten.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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