Infineon Isoliert OptiMOS N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 300 mA 500 mW, 6-Pin SC-88

RS Best.-Nr.:: 145-9487
Herst. Teile-Nr.:: 2N7002DWH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Infineon Isoliert OptiMOS N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 300 mA 500 mW, 6-Pin SC-88

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 145-9487
Herst. Teile-Nr.:: 2N7002DWH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	300mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	SC-88
	Serie	OptiMOS
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	4Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Verlustleistung Pd	500mW
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	0.4nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	0.96V
	Transistor-Konfiguration	Isoliert
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	2mm
	Höhe	0.8mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	1.25mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 300mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße SC-88
	Serie OptiMOS
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 4Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Verlustleistung Pd 500mW
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.4nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 0.96V
	Transistor-Konfiguration Isoliert
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 2mm
	Höhe 0.8mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 1.25mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Automobilstandard AEC-Q101

Ursprungsland:: CN

MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 60 V Drain-Source-Spannung, 4 Ω Drain-Source-Widerstand – 2N7002DWH6327XTSA1

Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Transistor, der für das Schalten mit geringem Stromverbrauch in beengten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet im Enhancement-Modus und kombiniert zwei Elemente auf einem einzigen Chip, um eine kompakte Dual-Die-Schaltung zu liefern, die für Kfz- und Industrieumgebungen geeignet ist. Das Gerät ist für Anwendungen auf Board-Ebene vorgesehen, die eine geringe Strombelastbarkeit und einen kontrollierten Einschaltwiderstand erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Der Ablasswert von 60 V ermöglicht Schaltanwendungen mit höherer Spannung
• Maximale Rds von 4 Ω reduziert Leitungsverluste im eingeschalteten Zustand
• 300 mA kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt niedrige Stromlasten
• Eine typische Gate-Ladung von 0,4 nC ermöglicht ein schnelles und effizientes Schalten
• Verlustleistung von 500 mW für thermisch begrenzte Designs mit geringer Leistungsaufnahme
• Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C gewährleistet thermische Beständigkeit

Anwendungsbereiche

• Geeignet für Mikrocontroller-gesteuerte Lastschaltung
• Ideal für die Schnittstelle von Sensoren in Automobilsystemen
• Wird mit Batteriemanagement-Ausgleichsschaltkreisen verwendet
• Kann für den Austausch kleiner Relais verwendet werden
• Geeignet für kompakte SMD-Strompfad-Steuerung

Welche Gehäuse- und Pinanzahl sollte ich für das Leiterplatten-Layout vorbereiten?

Das Gerät wird in einem kleinen SC-88-Gehäuse für die Oberflächenmontage mit sechs Stiften geliefert, sodass Pads und Wärmeentlastung der Grundfläche des SC-88 entsprechen sollten.

Wie wirkt sich der Dual-Element-Chip auf den Parallelbetrieb aus?

Zwei Elemente auf derselben Matrize ermöglichen kompakte Zweikanalanordnungen ohne externe Anpassung, aber die Gesamttemperaturgrenzen bleiben pro Gehäuse erhalten.

Welche Gate- und Ablassspannungsgrenzwerte müssen beachtet werden?

Die Gate-Source-Spannung darf ±20 V nicht überschreiten, während die Drain-Source-Spannungsgrenze 60 V beträgt, um Gerätebelastungen zu vermeiden.

Welche Durchlassspannung kann bei der Leitung erwartet werden?

Eine Durchlassspannungsmessung von ca. 0,96 V gilt unter spezifizierten Prüfbedingungen für relevante Leitungswege.