Vishay SUM65N20-30 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 65 A 375 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 165-6029
- Herst. Teile-Nr.:
- SUM65N20-30-E3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 165-6029
- Herst. Teile-Nr.:
- SUM65N20-30-E3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 65A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | SUM65N20-30 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 84mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 90nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.41mm | |
| Höhe | 4.826mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 9.65 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 65A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie SUM65N20-30 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 84mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 90nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.41mm | ||
Höhe 4.826mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 9.65 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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