Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 83 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 165-6578
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC060P03NS3EGATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*
CHF 2'070.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 26. Oktober 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 5000 + | CHF 0.414 | CHF 2'055.35 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 165-6578
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC060P03NS3EGATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -25V, +25V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 61nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 6.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie OptiMOS P | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -25V, +25V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 61nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Durchlassspannung Vf -1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 6.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon OptiMOS P Serie MOSFET, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 100 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC060P03NS3EGATMA1
Dieser MOSFET ist ein Leistungsschalttransistor, der für Hochstrom-Niederspannungsanwendungen in oberflächenmontierten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle Umgebungen geeignet ist, und bietet eine hohe Dauerstromkapazität bei gleichzeitiger Beibehaltung eines kompakten Gehäuses für flache Leiterplatten-Designs.
Merkmale und Vorteile:
• 100 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglichen dauerhaftes Hochstromschalten
• Die Nennleistung von 30 V Drain-Source unterstützt Niederspannungsstufen
• 9,6 mΩ Rds(on) reduzieren Leitungsverluste und Wärmeentwicklung
• Maximale Verlustleistung von 83 W ermöglicht eine hohe Leistungsaufnahme
• 61 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltdynamik
• 25-V-Gate-Source-Grenzwert sichert den Gate-Antriebs-Headroom für Robustheit
• Die Nennleistung von 30 V Drain-Source unterstützt Niederspannungsstufen
• 9,6 mΩ Rds(on) reduzieren Leitungsverluste und Wärmeentwicklung
• Maximale Verlustleistung von 83 W ermöglicht eine hohe Leistungsaufnahme
• 61 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltdynamik
• 25-V-Gate-Source-Grenzwert sichert den Gate-Antriebs-Headroom für Robustheit
Anwendungsbereich
• Geeignet für synchrone Abwärtswandler in Stromversorgungen
• Ideal für Gleichstrommotorantriebe, die hohe Strombelastbarkeit erfordern
• Wird für Point-of-Load-Regler in Server- und Telekommunikationsgeräten verwendet
• Kann für Batteriemanagementsysteme in der Energiespeicherung verwendet werden
• Geeignet für Hochstromlastschalter auf kompakten Leiterplatten
• Ideal für Gleichstrommotorantriebe, die hohe Strombelastbarkeit erfordern
• Wird für Point-of-Load-Regler in Server- und Telekommunikationsgeräten verwendet
• Kann für Batteriemanagementsysteme in der Energiespeicherung verwendet werden
• Geeignet für Hochstromlastschalter auf kompakten Leiterplatten
Welchen thermischen Bereich kann er während des Betriebs tolerieren?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit starken Temperaturschwankungen.
Welches Gehäuse und welche Befestigungsart wird für die Leiterplattenmontage verwendet?
Das Gerät wird in einem 8-poligen TDSON-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage und Low-Profile-Baugruppen konzipiert ist.
Sind Kanaltyp und Betriebsart für gängige Leistungstopologien geeignet?
Es verwendet einen P-Typ-Kanal im Verstärkungsmodus, geeignet für Designs, die ein P-Kanal-Gerät mit kontrollierten Leitungscharakteristiken erfordern.
Wie kompakt ist die Komponente für enge Leiterplatten-Layouts?
Die Gehäusehöhe beträgt 1,1 mm und die Grundfläche ermöglicht eine kompakte Platzierung bei gleichzeitig hoher Strombelastbarkeit.
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 83 W, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Power Transistor Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / -19.6 A 83 W, 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 83 W, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 60 V / 137 A 83 W, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 125 W, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Power Transistor Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / -32 A 188 W, 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon OptiMOS Power Transistor Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / -59 A 188 W, 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon OptiMOS Power Transistor Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / -22 A 188 W, 8-Pin PG-TDSON-8